인기 과학: 어떻게 태양광 발전?
Jan 05, 2018
태양광 발전은 빛 에너지를 직접 전기에 변환 하는 반도체 인터페이스의 태양광 효과 활용 하는 기술. 태양광 발전은 태양 전지 패널 (모듈), 컨트롤러와 인버터 세 부분 주로 구성 된다. 주요 구성 요소는 전자 부품으로 구성 됩니다. 그래서, 특정 프로세스는 무엇입니까? 여기, 우리는 상세한 분석에 올 것 이다, 태양광 전력 생성 프로세스는 무엇?
반도체에 대 한
실리콘 크리스탈 화학 매우 안정적입니다. 수소 불 화물, 제외 하 고, 실내 온도에 그것은 다른 물질과 반응 하기 어려운 이며 가난한 지휘자 없는 유휴 자유 전자를가지고 있기 때문에. 인 원자 바깥쪽 5 전자의 (P), 실리콘 크리스탈 다음 실리콘 크리스탈 인 원자는 여분의 무료 전자 분명입니다.
인 원자 4 개의 전자를 꺼내와 공유 하는 인접 한 4 개의 실리콘 원자, 남은 전자, 그것은 무료입니다. 실리콘 결정에 수많은 실리콘 원자 인 원자, 전기 실시 되도록 많은 자유 전자를 기한으로 대체 됩니다. 이 시점에서, 우리는 반도체, 그것의 이름은 "N 형 반도체 제조"
알루미늄 원자와도 핑 후 그것은 전자는 분명 실종. 실리콘과 같은 반도체의 다른 종류에서 알루미늄, 붕 소 결과 라는 3가 원자와도 핑 "P-형 반도체" P "을 채우기 위해 전자를 필요로 하는 구멍을 상상.
P 형 반도체는 또한 전도성, 외부 전기 분야의 신청 후 P 형 반도체에 전자 순차적으로 전기 분야 반대쪽에 구멍을 채우기 때문에, 동시에 구멍 방향으로 이동 전기 분야의 그래서 그 전류 생성 됩니다.
PN 접합에 대 한
반도체 결정의 한쪽은 N 형 반도체와 다른 쪽은 P 형 반도체, 만약 중간에 접촉면 PN 접합을 이라고 합니다. N 형 반도체, P 형 반도체, 구멍의 농도 높은 반면 자유 전자의 농도 높은,입니다. 확산의 원리에 따르면 물질 항상 낮은 농도에 높은 농도에서 확산 한다.
따라서, PN 접합에서 P 형 반도체 유포에 N 형 반도체에서 자유 전자를 많이 있을 것입니다, 그리고 결과 N 형 반도체는 전기적으로 중성, 하지 청구, 하지만 전자의 일부 손실이 발생 그것은 긍정적으로 위탁 된다. P 형 반도체에서 원래 P 형 반도체는 전기 중립 또한 많은 자유로운 전자 구멍, 감소 된 구멍 농도, 발생의 많은 채우기 위해 실행 하기 때문에, 지금 전자의 많은 보다는 더 많은 그래서 부정적인 전기.
PN 접합에서 한쪽은 긍정적으로 위탁 하 고 다른 쪽 부정 청구 내부 전기 분야는 접촉면에 형성.
태양광 전력 생성 프로세스는 무엇입니까?
햇빛은 일반적인 반도체에 비 추, 전자 및 구멍 생성 됩니다. 즉, 햇빛을 반도체에서 자유 전자를 생성할 때 구멍 생성 됩니다 같은 시간에 전자를 때 자유 전자, 위치 반드시 전자, 부족 및 구멍 위치 만든 태양 전지 나뭇잎 때문에.
있기 때문에 내부 전기 분야 PN 접합에 햇빛 PN 접합에서 전자와 구멍을 생성할 때, 전자는 내부 전기 분야의 작업에서 N 형 반도체로 이동 합니다. 마찬가지로, 구멍은 P 형 반도체로 이동합니다. 이 시점에서, PN 접합을 와이어의 양쪽 끝에 연결 하는 경우에 현재 생성할 수 있습니다.
